MOSFET onsemi, canale N, 250 mΩ, 2,5 A, WDFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 790-5268
Codice costruttore:: NTLJD4116NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 250 mΩ, 2,5 A, WDFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 790-5268
Codice costruttore:: NTLJD4116NT1G
Costruttore:: onsemi

NTLJD4116N, Power MOSFET, 30V, 4.6A, Cool Dual N−Channel, 2x2mm WDFN Package
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	WDFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	250 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,3 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2mm
Carica gate tipica @ Vgs	5,4 nC a 4,5 V
Larghezza	2mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.75mm

MOSFET onsemi, canale N, 250 mΩ, 2,5 A, WDFN, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N, ON Semiconductor

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