MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 100 A, 238 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 772-9187
Codice costruttore:: FDMS8320L
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 100 A, 238 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità**

2,82 €

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Unità	Per unità	Per Nastro**
2 - 8	2,82 €	5,64 €
10 - 98	2,39 €	4,78 €
100 - 248	1,915 €	3,83 €
250 - 498	1,805 €	3,61 €
500 +	1,71 €	3,42 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 772-9187
Codice costruttore:: FDMS8320L
Costruttore:: onsemi

FDMS8320L, N-Channel PowerTrench MOSFET 40V 248A 1.1mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A, 238 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	PQFN8
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	104 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	121 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.05mm

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 100 A, 238 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

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