MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 22 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante RFP50N06
- Codice RS:
- 124-1672
- Codice costruttore:
- RFP50N06
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,012 € | 50,60 € |
| 100 - 450 | 0,857 € | 42,85 € |
| 500 - 950 | 0,746 € | 37,30 € |
| 1000 + | 0,724 € | 36,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 124-1672
- Codice costruttore:
- RFP50N06
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | MegaFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 125nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 131W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 9.4mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie MegaFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 125nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 131W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 9.4mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
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Il processo MegaFET, che utilizza dimensioni strutturali simili a quelle dei circuiti integrati LSI, offre un utilizzo ottimale del silicio, che si traduce in eccellenti prestazioni.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.