MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 22 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante RFP50N06
- Codice RS:
- 124-1672
- Codice costruttore:
- RFP50N06
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,012 € | 50,60 € |
| 100 - 450 | 0,857 € | 42,85 € |
| 500 - 950 | 0,746 € | 37,30 € |
| 1000 + | 0,724 € | 36,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 124-1672
- Codice costruttore:
- RFP50N06
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | MegaFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 125nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 131W | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 9.4mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie MegaFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 125nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 131W | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 9.4mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Il processo MegaFET, che utilizza dimensioni strutturali simili a quelle dei circuiti integrati LSI, offre un utilizzo ottimale del silicio, che si traduce in eccellenti prestazioni.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
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