- Codice RS:
- 124-1672
- Codice costruttore:
- RFP50N06
- Costruttore:
- onsemi
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 09/10/2024.
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
1,612 €
(IVA esclusa)
1,967 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per stecca* |
50 - 50 | 1,612 € | 80,60 € |
100 - 450 | 1,366 € | 68,30 € |
500 - 950 | 1,188 € | 59,40 € |
1000 + | 1,153 € | 57,65 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 124-1672
- Codice costruttore:
- RFP50N06
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Il processo MegaFET, che utilizza dimensioni strutturali simili a quelle dei circuiti integrati LSI, offre un utilizzo ottimale del silicio, che si traduce in eccellenti prestazioni.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 50 A |
Tensione massima drain source | 60 V |
Tipo di package | TO-220AB |
Serie | MegaFET |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 22 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 2V |
Dissipazione di potenza massima | 131 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Carica gate tipica @ Vgs | 125 nC a 20 V |
Lunghezza | 10.67mm |
Materiale del transistor | Si |
Numero di elementi per chip | 1 |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Larghezza | 4.83mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 9.4mm |
- Codice RS:
- 124-1672
- Codice costruttore:
- RFP50N06
- Costruttore:
- onsemi
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