MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 22 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante RFP50N06

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Codice RS:
124-1672
Codice costruttore:
RFP50N06
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

MegaFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

125nC

Dissipazione di potenza massima Pd

131W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.83 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.4mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor


Il processo MegaFET, che utilizza dimensioni strutturali simili a quelle dei circuiti integrati LSI, offre un utilizzo ottimale del silicio, che si traduce in eccellenti prestazioni.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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