MOSFET di potenza onsemi, canale Tipo N 60 V, 0.04 Ω Miglioramento, 30 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante FQP30N06

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
124-1756
Codice costruttore:
FQP30N06
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

QFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.04Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.7 mm

Altezza

9.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N QFET®, da 11 a 30 A, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.

Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati