MOSFET di potenza onsemi, canale Tipo N 30 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 92 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante FDP8896
- Codice RS:
- 145-5358
- Codice costruttore:
- FDP8896
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
45,75 €
(IVA esclusa)
55,80 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 650 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,915 € | 45,75 € |
| 100 + | 0,86 € | 43,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-5358
- Codice costruttore:
- FDP8896
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 92A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 48nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 80W | |
| Tensione diretta Vf | 1.25V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 9.4mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 92A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 48nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 80W | ||
Tensione diretta Vf 1.25V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 9.4mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.