MOSFET onsemi, canale P, 190 mΩ, 16,5 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:
145-4520
Codice costruttore:
FQP17P10
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

16,5 A

Tensione massima drain source

100 V

Serie

QFET

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

190 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

10 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

30 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Larghezza

4.7mm

Lunghezza

10.1mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

9.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET a canale P QFET®, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.
Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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