MOSFET onsemi, canale N, 21 mΩ, 52 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 671-5146P
- Codice costruttore:
- FQP50N06L
- Costruttore:
- onsemi
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 671-5146P
- Codice costruttore:
- FQP50N06L
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 52 A | |
| Tensione massima drain source | 60 V | |
| Tipo di package | TO-220AB | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 21 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate minima | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima | 121 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 24,5 nC a 5 V | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Altezza | 9.4mm | |
| Serie | QFET | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 52 A | ||
Tensione massima drain source 60 V | ||
Tipo di package TO-220AB | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 21 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate minima 1V | ||
Dissipazione di potenza massima 121 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Materiale del transistor Si | ||
Carica gate tipica @ Vgs 24,5 nC a 5 V | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Altezza 9.4mm | ||
Serie QFET | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
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