MOSFET Infineon, canale N, 24 mΩ, 31 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 748-1879
- Codice costruttore:
- AUIRFZ44N
- Costruttore:
- Infineon
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 748-1879
- Codice costruttore:
- AUIRFZ44N
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 31 A | |
| Tensione massima drain source | 55 V | |
| Tipo di package | TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 24 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4V | |
| Tensione di soglia gate minima | 2V | |
| Dissipazione di potenza massima | 45 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Lunghezza | 10.66mm | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 65 nC a 10 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Larghezza | 4.82mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Altezza | 16.51mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 31 A | ||
Tensione massima drain source 55 V | ||
Tipo di package TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 24 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4V | ||
Tensione di soglia gate minima 2V | ||
Dissipazione di potenza massima 45 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Lunghezza 10.66mm | ||
Carica gate tipica @ Vgs 65 nC a 10 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Materiale del transistor Si | ||
Larghezza 4.82mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Altezza 16.51mm | ||
MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico, Infineon
La gamma completa di dispositivi a canale N a stampo singolo qualificati AECQ-101 per uso automobilistico di Infineon soddisfa un'ampia varietà di requisiti di alimentazione in svariate applicazioni. Questa gamma di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.