MOSFET Infineon, canale P, 100 mΩ, 19 A, TO-220AB, Su foro

Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

19 A

Tensione massima drain source

55 V

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

100 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

68 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Larghezza

4.82mm

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

10.66mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

35 nC a 10 V

Altezza

16.51mm

Serie

HEXFET

Minima temperatura operativa

-55 °C