MOSFET Renesas Electronics, canale P, 155 mΩ, 60 A, TO-220AB, Su foro

Marchio

Renesas Electronics

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

60 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

155 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Dissipazione di potenza massima

50 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

11.5mm

Larghezza

4.44mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Altezza

15mm