MOSFET Renesas Electronics, canale P, 370 mΩ, 28 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Marchio

Renesas Electronics

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

28 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

370 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Dissipazione di potenza massima

20 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

2.3mm

Lunghezza

6.5mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Altezza

7.2mm