MOSFET Infineon, canale N, 7 mΩ, 86 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
650-4334P
Codice costruttore:
IRFR3709ZPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

86 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

7 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.25V

Tensione di soglia gate minima

1.35V

Dissipazione di potenza massima

79 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

6.73mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

17 nC a 4,5 V

Larghezza

6.22mm

Serie

HEXFET

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.39mm

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