MOSFET Infineon, canale N, 280 mΩ, 18,1 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

18,1 A

Tensione massima drain source

550 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Serie

CoolMOS CE

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

280 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.5V

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

119 W

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

6.73mm

Carica gate tipica @ Vgs

32,6 nC a 10 V

Larghezza

6.22mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

2.41mm

Tensione diretta del diodo

0.85V

Minima temperatura operativa

-55 °C