MOSFET Infineon, canale N, 5,5 mΩ, 119 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

119 A

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

5,5 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

140 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

59 nC a 10 V

Lunghezza

6.73mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Larghezza

6.22mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

2.39mm

Minima temperatura operativa

-55 °C