MOSFET Renesas Electronics, canale N, 6 Ω, 6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Marchio

Renesas Electronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

6 A

Tensione massima drain source

500 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

6 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3V

Dissipazione di potenza massima

20 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Larghezza

2.3mm

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

6.5mm

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

7.2mm