MOSFET Renesas Electronics, canale P, 800 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 772-5223P
- Codice costruttore:
- 2SJ527L-E
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 - 95 | 0,778 € |
| 100 - 245 | 0,764 € |
| 250 - 495 | 0,748 € |
| 500 + | 0,734 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 772-5223P
- Codice costruttore:
- 2SJ527L-E
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo di canale | P | |
| Corrente massima continuativa di drain | 20 A | |
| Tensione massima drain source | 60 V | |
| Tipo di package | DPAK (TO-252) | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 800 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 2V | |
| Dissipazione di potenza massima | 20 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Lunghezza | 6.5mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Larghezza | 2.3mm | |
| Altezza | 7.2mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo di canale P | ||
Corrente massima continuativa di drain 20 A | ||
Tensione massima drain source 60 V | ||
Tipo di package DPAK (TO-252) | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 800 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 2V | ||
Dissipazione di potenza massima 20 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Materiale del transistor Si | ||
Lunghezza 6.5mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Larghezza 2.3mm | ||
Altezza 7.2mm | ||
MOSFET a canale P, Renesas Electronics (NEC)
Transistor MOSFET, Renesas Electronics (NEC)