MOSFET Renesas Electronics, canale P, 43 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

Marchio

Renesas Electronics

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

120 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

43 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

70 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

10mm

Carica gate tipica @ Vgs

63 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

8.5mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

4.8mm