MOSFET Renesas Electronics, canale P, 110 mΩ, 72 A, TO-220 FM, Su foro

Marchio

Renesas Electronics

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

72 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

TO-220 FM

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

110 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Dissipazione di potenza massima

30 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

4.45mm

Lunghezza

10mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

17mm