MOSFET onsemi, canale N 200 V, 49 mΩ Miglioramento, 52 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 166-2543
Codice costruttore:: FDB52N20TM
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N 200 V, 49 mΩ Miglioramento, 52 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

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Codice RS:: 166-2543
Codice costruttore:: FDB52N20TM
Costruttore:: onsemi

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	52A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	200V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	UniFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	49mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	49nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	357W
	Tensione diretta Vf	1.4V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-30V, +30V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	4.572mm
	Lunghezza	9.98mm
	Larghezza	10.16mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 52A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V
	Tipo di package TO-263
	Serie UniFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 49mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 49nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 357W
	Tensione diretta Vf 1.4V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 4.572mm
	Lunghezza 9.98mm
	Larghezza 10.16mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor

I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

MOSFET onsemi, canale N 200 V, 49 mΩ Miglioramento, 52 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor

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