MOSFET onsemi, canale Tipo N 200 V, 49 mΩ Miglioramento, 52 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
166-2543
Codice costruttore:
FDB52N20TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

UniFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

49mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

357W

Tensione diretta Vf

1.4V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

9.98mm

Larghezza

10.16 mm

Altezza

4.572mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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