MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 49 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB049N08N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2496
Codice costruttore:
IPB049N08N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS 5 80V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

49mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza industriale IPB049N08N5 OptiMOS™ 5 80V di Infineon offre una riduzione RDS(ON) del 43% rispetto alle generazioni precedenti ed è ideale per le alte frequenze di commutazione. I dispositivi di questa famiglia sono progettati appositamente per la rettifica sincrona in alimentatori per server e telecomunicazioni. Inoltre, possono essere utilizzati anche in altre applicazioni industriali come pannelli solari, unità a bassa tensione e adattatori.

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Ideale per una frequenza di commutazione elevata

Riduzione della capacità di uscita fino al 44%

Riduzione RDS(ON) fino al 44%

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