MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 9.9 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB054N08N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9178
Codice costruttore:
IPB054N08N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.31mm

Altezza

4.57mm

Larghezza

9.45 mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

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