MOSFET onsemi, canale N, 27 mΩ, 62 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 759-8967
Codice costruttore:: FDB2614
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 27 mΩ, 62 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

2237 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per Unità

4,20 €

(IVA esclusa)

5,12 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
1 - 9	4,20 €
10 - 99	3,56 €
100 - 249	2,84 €
250 - 499	2,70 €
500 +	2,54 €

Codice RS:: 759-8967
Codice costruttore:: FDB2614
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	62 A
Tensione massima drain source	200 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	27 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	260 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	76 nC a 10 V
Larghezza	11.33mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.83mm