- Codice RS:
- 145-4517
- Codice costruttore:
- FDP33N25
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
1,601 €
(IVA esclusa)
1,953 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per stecca* |
50 + | 1,601 € | 80,05 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 145-4517
- Codice costruttore:
- FDP33N25
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor
Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i MOSFET planari e fornisce inoltre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia dell'effetto valanga. Inoltre, il diodo ESD gate-sorgente interno consente al MOSFET UniFET-II™ di sopportare sollecitazioni da sovratensioni HBM di oltre 2000 V.
I MOSFET UniFET™ sono adatti per le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.
I MOSFET UniFET™ sono adatti per le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 33 A |
Tensione massima drain source | 250 V |
Tipo di package | TO-220AB |
Serie | UniFET |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 94 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 3V |
Dissipazione di potenza massima | 235 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
Lunghezza | 10.67mm |
Materiale del transistor | Si |
Larghezza | 4.83mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Carica gate tipica @ Vgs | 36,8 nC a 10 V |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 9.4mm |
- Codice RS:
- 145-4517
- Codice costruttore:
- FDP33N25
- Costruttore:
- onsemi
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