MOSFET onsemi, canale Tipo N 250 V, 0.094 Ω Miglioramento, 33 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

38,95 €

(IVA esclusa)

47,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 950 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 +0,779 €38,95 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
145-4517
Codice costruttore:
FDP33N25
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

UniFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.094Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.4V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

235W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83 mm

Altezza

9.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor


Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i MOSFET planari e fornisce inoltre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia dell'effetto valanga. Inoltre, il diodo ESD gate-sorgente interno consente al MOSFET UniFET-II™ di sopportare sollecitazioni da sovratensioni HBM di oltre 2000 V.

I MOSFET UniFET™ sono adatti per le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati