MOSFET onsemi, canale N, 750 mΩ, 10 A, TO-220FP, Su foro

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Codice RS:
124-5385
Codice costruttore:
NDF10N60ZG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

10 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

TO-220FP

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

750 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Dissipazione di potenza massima

39 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

47 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

4.9mm

Lunghezza

10.63mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

16.12mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
KR

MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semiconductor

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