MOSFET onsemi, canale N, 750 mΩ, 10 A, TO-220FP, Su foro

Codice RS:: 124-5385
Codice costruttore:: NDF10N60ZG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 750 mΩ, 10 A, TO-220FP, Su foro

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Codice RS:: 124-5385
Codice costruttore:: NDF10N60ZG
Costruttore:: onsemi

NDF10N60Z, N-Channel Power MOSFET 600V, 0.75 Ohm Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	750 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Dissipazione di potenza massima	39 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	47 nC a 10 V
Lunghezza	10.63mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.9mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	16.12mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 750 mΩ, 10 A, TO-220FP, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

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