MOSFET onsemi, canale P, 2,2 Ω, 870 mA, SOT-723, Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-5404
Codice costruttore:: NTK3139PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 2,2 Ω, 870 mA, SOT-723, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 124-5404
Codice costruttore:: NTK3139PT1G
Costruttore:: onsemi

NTK3139P, Power MOSFET −20V, −780mA, Single P−Channel with ESD Protection, SOT−723 Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	870 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-723
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	550 mW
Tensione massima gate source	-6 V, +6 V
Larghezza	0.85mm
Lunghezza	1.25mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.55mm

MOSFET onsemi, canale P, 2,2 Ω, 870 mA, SOT-723, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

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