MOSFET onsemi, canale N, 1,2 Ω, 990 mA, SOT-723, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-1123
Codice costruttore:: NTK3134NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 1,2 Ω, 990 mA, SOT-723, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 4000)**

0,125 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
4000 +	0,125 €	500,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 163-1123
Codice costruttore:: NTK3134NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	990 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-723
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	550 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-6 V, +6 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	0.85mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	1.25mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	0.55mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 1,2 Ω, 990 mA, SOT-723, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 20 V, ON Semiconductor

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