MOSFET ROHM, canale P, 9,6 Ω, 200 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-6835
Codice costruttore:: RU1C002ZPTCL
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale P, 9,6 Ω, 200 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 124-6835
Codice costruttore:: RU1C002ZPTCL
Costruttore:: ROHM

RU1C002ZP, P-Channel Small Signal MOSFET (-20V -200mA)
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	200 mA
Tensione massima drain source	20 V
Serie	RU1C002ZP
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	9,6 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	0.3V
Dissipazione di potenza massima	150 mW
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	1,4 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.1mm
Larghezza	1.35mm
Altezza	1mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET ROHM, canale P, 9,6 Ω, 200 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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Transistor MOSFET a canale P, ROHM

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