MOSFET ROHM, canale N 50 V, 9 Ω Miglioramento, 200 mA, 3 Pin, SOT-323, Superficie RU1J002YNTCL

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Codice RS:
124-6836
Codice costruttore:
RU1J002YNTCL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

200mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Tipo di package

SOT-323

Serie

RU1J002YN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150mW

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.35mm

Altezza

1mm

Lunghezza

2.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Transistor MOSFET a canale N, ROHM


Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor


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