MOSFET ROHM, canale N, 9 Ω, 200 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-6836
Codice costruttore:: RU1J002YNTCL
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale N, 9 Ω, 200 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 124-6836
Codice costruttore:: RU1J002YNTCL
Costruttore:: ROHM

RU1J002YN, N-Channel Small Signal MOSFET (50V 200mA)
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 mA
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	SOT-323
Serie	RU1J002YN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	9 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.8V
Tensione di soglia gate minima	0.3V
Dissipazione di potenza massima	150 mW
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.35mm
Lunghezza	2.1mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET ROHM, canale N, 9 Ω, 200 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Transistor MOSFET a canale N, ROHM

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