MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 200 mΩ Miglioramento, 1.3 A, 3 Pin, SOT-323, Superficie

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Codice RS:
222-2830
Codice costruttore:
DMN2310UWQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

DMN

Tipo di package

SOT-323

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

0.45W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.2mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Completamente senza piombo e completamente conforme alla direttiva RoHS

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