MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 200 mΩ Miglioramento, 1.3 A, 3 Pin, SOT-323, Superficie DMN2310UWQ-7

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 50 unità*

8,60 €

(IVA esclusa)

10,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 2650 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
50 - 500,172 €8,60 €
100 - 2000,083 €4,15 €
250 - 4500,082 €4,10 €
500 - 9500,077 €3,85 €
1000 +0,075 €3,75 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-2831
Codice costruttore:
DMN2310UWQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-323

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

0.45W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Larghezza

1.35 mm

Lunghezza

2.2mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Completamente senza piombo e completamente conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati

Recently viewed