MOSFET ROHM, canale N, 9 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 133-2856
Codice costruttore:: RYC002N05T316
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale N, 9 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 133-2856
Codice costruttore:: RYC002N05T316
Costruttore:: ROHM

RYC002N05, 0.9V Drive N-Channel MOSFET (50V, 200mA)
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 mA
Tensione massima drain source	50 V
Serie	RYC002N05
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	9 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.8V
Tensione di soglia gate minima	0.3V
Dissipazione di potenza massima	350 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.5mm
Lunghezza	3.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	26 nC a 10 V
Altezza	1.15mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET ROHM, canale N, 9 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Transistor MOSFET a canale N, ROHM

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