MOSFET IXYS, canale Tipo N 250 V, 24 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IXTH110N25T
- Codice RS:
- 125-8047
- Codice Distrelec:
- 302-53-421
- Codice costruttore:
- IXTH110N25T
- Costruttore:
- IXYS
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- IXTH110N25T
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 110A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Serie | Trench | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 24mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 157nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 694W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 21.46mm | |
| Larghezza | 5.3 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 16.26mm | |
| Distrelec Product Id | 30253421 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 110A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Serie Trench | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 24mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 157nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 694W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 21.46mm | ||
Larghezza 5.3 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 16.26mm | ||
Distrelec Product Id 30253421 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza Trench-Gate a canale N, IXYS
Tecnologia MOSFET Trench-Gate
Bassa resistenza in stato attivo RDS(on)
Eccellente effetto valanga
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS