MOSFET IXYS, canale Tipo N 250 V, 24 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IXTH110N25T

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Codice RS:
125-8047
Codice Distrelec:
302-53-421
Codice costruttore:
IXTH110N25T
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

TO-247

Serie

Trench

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

157nC

Dissipazione di potenza massima Pd

694W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.3 mm

Lunghezza

16.26mm

Altezza

21.46mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza Trench-Gate a canale N, IXYS


Tecnologia MOSFET Trench-Gate

Bassa resistenza in stato attivo RDS(on)

Eccellente effetto valanga

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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