MOSFET IXYS, canale N, 24 mΩ, 96 A, TO-247, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 24 mΩ, 96 A, TO-247, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 168-4492
Price: 7.41 EUR
Availability: OutOfStock

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 12/05/2025.

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)

6,075 €

(IVA esclusa)

7,411 €

(IVA inclusa)

Documentazione Tecnica

MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS

Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	96 A
Tensione massima drain source	150 V
Tipo di package	TO-247
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	24 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	480 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	16.26mm
Carica gate tipica @ Vgs	110 nC a 10 V
Larghezza	5.3mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	21.46mm