MOSFET Infineon, canale N, 1,4 mΩ, 198 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale

Codice RS:: 130-0965
Codice costruttore:: IRF7946TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1,4 mΩ, 198 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 2

2,10 €

(IVA esclusa)

2,56 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
2 - 18	2,10 €	4,20 €
20 - 48	1,89 €	3,78 €
50 - 98	1,765 €	3,53 €
100 - 198	1,635 €	3,27 €
200 +	1,53 €	3,06 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 130-0965
Codice costruttore:: IRF7946TRPBF
Costruttore:: Infineon

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET di potenza StrongIRFET™, Infineon

La famiglia StrongIRFET di Infineon è ottimizzata per offrire bassa resistenza R_DS(on) e capacità di corrente elevata. Questa gamma offre un gate migliorato, resistenza dv/dt a valanga e dinamica ideale per applicazioni a bassa frequenza, compresi azionamenti, utensili elettrici, inverter e gestione della batteria in cui prestazioni e robustezza sono dei fattori fondamentali.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	198 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DirectFET isometrico
Serie	DirectFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Resistenza massima drain source	1,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.9V
Tensione di soglia gate minima	2.2V
Dissipazione di potenza massima	96 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	141 nC a 20 V
Lunghezza	6.35mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.53mm
Tensione diretta del diodo	1.2V