MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 160 mΩ Miglioramento, 1.4 A, 6 Pin, US, Superficie

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15000 +0,065 €195,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-0698
Codice costruttore:
BSD316SNH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

US

Serie

BSD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

0.9mm

Larghezza

1.25mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Lunghezza

2mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I produttori automobilistici e industriali di MOSFET a piccolo segnale a canale N Infineon offrono un'ampia gamma di MOSFET a piccolo segnale a canale N e P che soddisfano e superano i più elevati requisiti di qualità in contenitori standard industriali ben noti. Con livelli ineguagliabili di affidabilità e capacità di produzione, questi componenti sono ideali per un'ampia varietà di applicazioni, tra cui illuminazione a LED, ADAS, unità di controllo del corpo, SMPS e controllo motore.

Modalità di potenziamento

Livello logico

Valanga

Commutazione rapida

Valore nominale Dv/dt

La bassa RDS(on) garantisce una maggiore efficienza e prolunga la durata della batteria

I contenitori di piccole dimensioni consentono di risparmiare spazio sul circuito stampato

Qualità e affidabilità migliori della categoria

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