MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 160 mΩ Miglioramento, 1.4 A, 6 Pin, US, Superficie BSD316SNH6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-0699
Codice costruttore:
BSD316SNH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

US

Serie

BSD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

2mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Larghezza

1.25 mm

Altezza

0.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I produttori automobilistici e industriali di MOSFET a piccolo segnale a canale N Infineon offrono un'ampia gamma di MOSFET a piccolo segnale a canale N e P che soddisfano e superano i più elevati requisiti di qualità in contenitori standard industriali ben noti. Con livelli ineguagliabili di affidabilità e capacità di produzione, questi componenti sono ideali per un'ampia varietà di applicazioni, tra cui illuminazione a LED, ADAS, unità di controllo del corpo, SMPS e controllo motore.

Modalità di potenziamento

Livello logico

Valanga

Commutazione rapida

Valore nominale Dv/dt

La bassa RDS(on) garantisce una maggiore efficienza e prolunga la durata della batteria

I contenitori di piccole dimensioni consentono di risparmiare spazio sul circuito stampato

Qualità e affidabilità migliori della categoria

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