MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 160 mΩ Miglioramento, 1.4 A, 6 Pin, US, Superficie BSD316SNH6327XTSA1

Codice RS:: 258-0699
Codice costruttore:: BSD316SNH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 160 mΩ Miglioramento, 1.4 A, 6 Pin, US, Superficie BSD316SNH6327XTSA1

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Codice RS:: 258-0699
Codice costruttore:: BSD316SNH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	1.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	US
	Serie	BSD
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	160mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	0.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	0.6nC
	Tensione diretta Vf	0.8V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	IEC 61249-2-21, RoHS
	Altezza	0.9mm
	Lunghezza	2mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 1.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package US
	Serie BSD
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 160mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 0.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.6nC
	Tensione diretta Vf 0.8V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS
	Altezza 0.9mm
	Lunghezza 2mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - BSD316SNH6327XTSA1

I produttori automobilistici e industriali di MOSFET a piccolo segnale a canale N Infineon offrono un'ampia gamma di MOSFET a piccolo segnale a canale N e P che soddisfano e superano i più elevati requisiti di qualità in contenitori standard industriali ben noti. Con livelli ineguagliabili di affidabilità e capacità di produzione, questi componenti sono ideali per un'ampia varietà di applicazioni, tra cui illuminazione a LED, ADAS, unità di controllo del corpo, SMPS e controllo motore.

Modalità di potenziamento

Livello logico

Valanga

Commutazione rapida

Valore nominale Dv/dt

La bassa RDS(on) garantisce una maggiore efficienza e prolunga la durata della batteria

I contenitori di piccole dimensioni consentono di risparmiare spazio sul circuito stampato

Qualità e affidabilità migliori della categoria

MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 160 mΩ Miglioramento, 1.4 A, 6 Pin, US, Superficie BSD316SNH6327XTSA1

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