MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 250 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 6 Pin, US, Superficie BSD214SNH6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4333
Codice costruttore:
BSD214SNH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

US

Serie

OptiMOS 2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

250mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.35 mm

Lunghezza

2.02mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I transistor a piccolo segnale Infineon OptiMOS™2 sono qualificati in conformità con AEC Q101.

Canale N.

Modalità potenziata

Livello Super Logic (2,5 V nominali)

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