MOSFET Infineon, canale Tipo P -20 V, 1.20 Ω Miglioramento, 390 mA, 6 Pin, US, Superficie BSD223PH6327XTSA1

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

168,00 €

(IVA esclusa)

204,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 21 giugno 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 30000,056 €168,00 €
6000 - 120000,053 €159,00 €
15000 +0,051 €153,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
250-0520
Codice costruttore:
BSD223PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

390mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Serie

BSD

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.20Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.25W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie BSD - Tensione drain‐source 20 V, dissipazione di potenza 0,25 W - BSD223PH6327XTSA1


Questo MOSFET a canale p è un transistor a montaggio superficiale progettato per la commutazione a bassa potenza in un ampio intervallo di temperatura. Funziona come dispositivo di modalità di potenziamento per il controllo della corrente in assemblaggi compatti ed è adatto per ambienti che richiedono una tolleranza termica estesa e una qualifica di livello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:


• La resistenza drain‐source di 1,20 Ω garantisce un comportamento di conduzione prevedibile
• La corrente di drenaggio continua di 0,39 A supporta carichi di commutazione a bassa corrente
• La potenza nominale gate‐source di 12 V consente tensioni gate‐drive standard
• Il limite drain‐source di -20 V consente il funzionamento in circuiti a tensione negativa
• La dissipazione di potenza di 0,25 W riduce al minimo il carico termico in piccoli assemblaggi

Applicazioni


• Adatto per la gestione della batteria e le attività di instradamento a bassa corrente
• Ideale per la commutazione del segnale nell'elettronica compatta a montaggio superficiale
• Utilizzato con interfacce per sensori automobilistici che richiedono resistenza alla temperatura
• Può essere utilizzato per il passaggio di livello nei circuiti di controllo a tensione mista

Quali temperature estreme può gestire?


Funziona in un intervallo ambiente compreso tra -55 °C e +150 °C.

Quale contenitore e stile di montaggio utilizza?


Viene fornito in un contenitore SOT‐363 con ingombro superficiale e sei pin.

È conforme alle norme ambientali del settore?


È conforme ai requisiti RoHS ed è certificato AEC-Q101 per l'uso nel settore automobilistico.

Che tipo di canale e modalità utilizza?


Si tratta di un dispositivo a canale P che funziona in modalità di potenziamento.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.