MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, -0.39 A, 6 Pin, US, Superficie BSD223PH6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0521
Codice costruttore:
BSD223PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-0.39A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

BSD

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Le famiglie OptiMOS™ di Infineon, altamente innovative, includono mosfet in modalità enhancement con livello logico Super. Ha un valore nominale Avalanche e dv /dt. Offre una commutazione rapida. Il dispositivo è senza piombo e senza alogeni. Vds è -20 V, Rds(on) è 1,2 Ω mentre l'id è -0,39 A.

Soddisfa costantemente i requisiti di qualità e prestazioni più elevati

Elevata resistenza in stato attivo e caratteristiche di merito

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