2 MOSFET Infineon, canale Tipo N, Tipo P, 950 mA 20 V, US, Montaggio superficiale Miglioramento, 6 Pin BSD235CH6327XTSA1

Codice RS:: 250-0522
Codice costruttore:: BSD235CH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

2 MOSFET Infineon, canale Tipo N, Tipo P, 950 mA 20 V, US, Montaggio superficiale Miglioramento, 6 Pin BSD235CH6327XTSA1

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 250-0522
Codice costruttore:: BSD235CH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N, Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	950mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	BSD235C
	Tipo di package	US
	Tipo montaggio	Montaggio superficiale
	Numero pin	6
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	1.20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	0.5W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N, Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 950mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie BSD235C
	Tipo di package US
	Tipo montaggio Montaggio superficiale
	Numero pin 6
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 1.20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 0.5W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - BSD235CH6327XTSA1

MOSFET Infineon serie BSD235C, tensione massima drain-source 20 V, corrente di drenaggio continua massima 0,95 A - BSD235CH6327XTSA1

Questo MOSFET è un transistor a doppia modalità di miglioramento progettato per applicazioni compatte e di livello automobilistico. Integra elementi a canale N e a canale P su un singolo chip all'interno di un pacchetto SOT‐363 a 6 pin, consentendo attività di commutazione e segnale a ingombro ridotto. Il dispositivo è specificato per funzionare in un'ampia gamma di temperature, adatta agli ambienti più difficili, ed è conforme alle restrizioni ambientali sui materiali.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V consente la commutazione a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 0.95 A supporta carichi di corrente moderati
• Il valore nominale gate-source di 1,2 V consente il funzionamento del gate drive a bassa tensione
• La dissipazione di potenza di 0,5 W consente un budget termico compatto
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C consente un uso ambientale elevato

Applicazioni

• Adatto per la commutazione del carico automobilistico in spazi ristretti
• Ideale per stadi di segnale push-pull complementari
• Utilizzato con logica di controllo a bassa tensione per l'azionamento del gate
• Può essere utilizzato per la gestione ridondante dell'alimentazione a doppio elemento
• Utilizzato per progetti di schede compatte che richiedono la conformità alla direttiva RoHS

Quanti elementi a transistor sono integrati sul chip?

Contiene due elementi, uno a canale N e uno a canale P.

Quale numero di pin e contenitore è necessario pianificare nel layout del circuito stampato?

Il dispositivo utilizza un ingombro SOT‐363 a 6 pin per il montaggio superficiale.

Quali temperature estreme può sopportare durante il funzionamento?

L'intervallo di funzionamento consentito va da -55 °C a 150 °C.

Il dispositivo è adatto nei casi in cui si applicano restrizioni relative ai materiali?

È conforme ai requisiti dei materiali RoHS ed è progettato di conseguenza.