MOSFET Infineon, canale Tipo P -30 V, 43 mΩ Miglioramento, 5.5 A, 6 Pin, TSOP BSL307SPH6327XTSA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P fornito in un contenitore TSOP compatto per le attività di commutazione a semiconduttore. È adatto per applicazioni che richiedono una bassa resistenza in stato attivo e una gestione della corrente moderata in un'ampia gamma ambientale, operando da basse temperature a temperature elevate in ambienti difficili. Il dispositivo è conforme ai requisiti RoHS ed è configurato con sei pin per il montaggio su circuito stampato e l'integrazione dei circuiti.

• Rds(on) di 43 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• La corrente di drenaggio continua di 5.5 A supporta un'erogazione di potenza moderata
• Il valore nominale drain-source di -30 V consente la commutazione del sistema a bassa tensione
• L'intervallo di temperatura da -55 °C a +150 °C mantiene il funzionamento in condizioni estreme
• Il pacchetto TSOP a 6 pin riduce al minimo l'ingombro del circuito stampato per progetti compatti

• Utilizzato per la protezione delle batterie nell'elettronica portatile
• Adatto per interruttori di distribuzione dell'alimentazione a bassa tensione
• Ideale per il controllo del percorso di alimentazione nei dispositivi portatili
• Può essere utilizzato per circuiti di protezione contro l'inversione di polarità
• Utilizzato con moduli di potenza compatti in assemblaggi con spazio limitato

Utilizza un canale di tipo P e funziona in modalità di potenziamento.

Il componente fornisce sei pin in un ingombro TSOP per il fissaggio a saldare.

Non è specificato come conforme alle qualifiche standard automobilistiche.

Il componente è realizzato per soddisfare i requisiti di conformità RoHS.