MOSFET Infineon, canale P, 66 mΩ, 5,8 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8190
Codice costruttore:: IRFTS9342TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 66 mΩ, 5,8 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-8190
Codice costruttore:: IRFTS9342TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 5,8 A, dissipazione di potenza massima di 2 W - IRFTS9342TRPBF

Questo MOSFET è stato progettato per garantire un'elevata efficienza in diverse applicazioni, svolgendo un ruolo fondamentale nei circuiti elettronici che richiedono prestazioni elevate e affidabilità. La bassa resistenza di accensione e le notevoli capacità di gestione della corrente contribuiscono all'efficienza energetica e alla stabilità del sistema nelle applicazioni di automazione ed elettriche.

Caratteristiche e vantaggi

• Il basso valore di Rds(on) migliora l'efficienza energetica
• Supporto di una corrente di drenaggio continua di 5,8 A per prestazioni efficaci
• La tensione massima di drain-source di 30 V garantisce la durata nel tempo
• Il design a montaggio superficiale consente di realizzare layout compatti ed efficienti
• L'intervallo di temperatura di esercizio da -55°C a +150°C migliora l'adattabilità

Applicazioni

• Utilizzato negli inverter per motori CC alimentati a batteria
• Impiegato per la commutazione di sistemi o carichi in vari circuiti
• Applicabile alle operazioni di azionamento nei sistemi di automazione
• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'energia per migliorare l'efficienza

Come si comporta questo componente a temperature estreme?

Funziona efficacemente in un'ampia gamma di temperature, da -55°C a +150°C, garantendo l'affidabilità in vari ambienti.

Qual è il vantaggio della bassa resistenza di accensione?

Un basso valore di Rds(on) riduce la perdita di potenza nelle applicazioni, migliorando l'efficienza complessiva e le prestazioni termiche.

Questo dispositivo è in grado di gestire correnti pulsate?

Sì, è in grado di gestire efficacemente le correnti di drenaggio pulsate, rendendolo adatto alle applicazioni dinamiche dell'elettronica.

Come viene montato nei circuiti?

Il dispositivo è progettato per applicazioni a montaggio superficiale, per facilitare l'assemblaggio compatto e l'utilizzo efficiente dello spazio sui circuiti stampati.

Quali sono le considerazioni da fare quando si maneggia questo componente?

A causa della sensibilità ai livelli di tensione, gli utenti devono garantire una gestione adeguata, rispettando i limiti di tensione massima del gate-source specificati.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	5,8 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TSOP-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	66 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3mm
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.3mm
Tensione diretta del diodo	1.2V