MOSFET Infineon, canale Tipo P -20 V, 41 mΩ Miglioramento, 6 A, 6 Pin, TSOP, Superficie BSL207SPH6327XTSA1

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

6,54 €

(IVA esclusa)

7,98 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 marzo 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,654 €6,54 €
100 - 2400,62 €6,20 €
250 - 4900,594 €5,94 €
500 - 9900,568 €5,68 €
1000 +0,361 €3,61 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-5069
Codice costruttore:
BSL207SPH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Serie

BSL

Tipo di package

TSOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie BSL - Tensione massima drain-source di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 6 A - BSL207SPH6327XTSA1


Questo MOSFET è un transistor in modalità di potenziamento a canale P progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui è richiesta una commutazione di potenza compatta. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è adatto per i circuiti che necessitano di una commutazione a canale P controllata con capacità di corrente moderata. Il dispositivo è fornito in un contenitore TSOP ed è conforme alle restrizioni RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa resistenza all'accensione riduce le perdite di conduzione
• Il valore nominale di -20 V consente la commutazione a tensione negativa
• La corrente di drenaggio continua di 6 A supporta carichi moderati
• Funziona da -55 °C a +150 °C per ampi intervalli di temperatura
• Il montaggio superficiale in TSOP consente di risparmiare area sulla scheda

Applicazioni


• Adatto per la commutazione della gestione dell'alimentazione nell'elettronica di consumo
• Ideale per la protezione contro l'inversione di polarità e i circuiti delle batterie
• Utilizzato con sistemi alimentati a batteria che richiedono parti SMD compatte
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei moduli di controllo industriali
• Adatto per ambienti a stress termico che richiedono un'ampia tolleranza alla temperatura

Qual è la resistenza termica del dispositivo in condizioni difficili?


È classificato per funzionare tra -55 °C e +150 °C, dimostrando tolleranza ad ampie escursioni di temperatura.

Quale tipo di montaggio è richiesto per l'assemblaggio?


Il pacchetto è configurato in TSOP per il posizionamento a montaggio superficiale su schede a circuito stampato.

In che modo l'orientamento dei canali influisce sulla progettazione dei circuiti?


Come dispositivo in modalità di potenziamento a canale P, si commuta quando il gate è azionato rispetto alla sorgente con una polarità appropriata per le configurazioni high-side.

Questo componente è conforme alle normative sulle restrizioni ai materiali?


È conforme ai requisiti RoHS che limitano l'uso di determinate sostanze pericolose.

Quali sono i limiti elettrici che definiscono la sua capacità di commutazione?


Il transistor ha un valore nominale di -20 V tra il drenaggio e la sorgente e può trasportare continuamente fino a 6 A di corrente di drenaggio.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.