MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 67 mΩ Miglioramento, 4.7 A, 6 Pin, TSOP
- Codice RS:
- 260-5070
- Codice costruttore:
- BSL211SPH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-5070
- Codice costruttore:
- BSL211SPH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 67mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package TSOP | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 67mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor di segnale piccolo optiMOS a canale P Infineon funziona in modalità di potenziamento. La sua dissipazione di potenza massima è di 2000 mW. Questo transistor MOSFET ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e 150 °C.
Modalità di potenziamento
Livello super logico
Valanga
Commutazione rapida
Placcatura senza piombo
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