2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, 130 mΩ, 2 A 30 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 892-2172
- Codice Distrelec:
- 304-44-410
- Codice costruttore:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 40 unità*
15,04 €
(IVA esclusa)
18,36 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 40 + | 0,376 € | 15,04 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 892-2172
- Codice Distrelec:
- 304-44-410
- Codice costruttore:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 130mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -0.8V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | -5nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Tipo di package TSOP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 130mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -0.8V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs -5nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™
I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.
Modalità potenziata
Classificazione Avalanche
Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione
Placcatura senza piombo; conformità Rohs
Contenitori standard
Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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