2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 280 mΩ, 1.5 A 20 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Prezzo per 1 nastro da 60 unità*

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
110-7726
Codice costruttore:
BSL215CH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

TSOP

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3nC

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.6 mm

Lunghezza

2.9mm

Numero elementi per chip

2

Distrelec Product Id

304-36-974

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppia potenza Infineon OptiMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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