MOSFET Infineon, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 110-7726
Codice costruttore:: BSL215CH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 110-7726
Codice costruttore:: BSL215CH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

BSL215C OptiMOS Dual Small Signal MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P)
Tensione massima drain source	20 (Canale N) V, -20 (Canale P) V
Serie	OptiMOS™
Tipo di package	TSOP-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	250 mΩ, 280 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.6 V, 1.2V
Tensione di soglia gate minima	0.7 V, 1.2V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,73 nC a 4,5 V, 3 nC a 5 V
Lunghezza	2.9mm
Numero di elementi per chip	2
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.1V
Altezza	1mm

MOSFET Infineon, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP-6, Montaggio superficiale

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MOSFET doppia potenza Infineon OptiMOS™

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