MOSFET Infineon, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 110-7726
Codice costruttore:: BSL215CH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP-6, Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità

0,151 €

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Unità	Per unità	Per Nastro*
60 +	0,151 €	9,06 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 110-7726
Codice costruttore:: BSL215CH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

BSL215C OptiMOS Dual Small Signal MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Codice RS:: 110-7726
Codice costruttore:: BSL215CH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

BSL215C OptiMOS Dual Small Signal MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P)
Tensione massima drain source	20 (Canale N) V, -20 (Canale P) V
Serie	OptiMOS
Tipo di package	TSOP-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	250 mΩ, 280 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.6 V, 1.2V
Tensione di soglia gate minima	0.7 V, 1.2V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	0,73 nC a 4,5 V, 3 nC a 5 V
Lunghezza	2.9mm
Larghezza	1.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Tensione diretta del diodo	1.1V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P)
Tensione massima drain source	20 (Canale N) V, -20 (Canale P) V
Serie	OptiMOS
Tipo di package	TSOP-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	250 mΩ, 280 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.6 V, 1.2V
Tensione di soglia gate minima	0.7 V, 1.2V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	0,73 nC a 4,5 V, 3 nC a 5 V
Lunghezza	2.9mm
Larghezza	1.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Tensione diretta del diodo	1.1V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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