MOSFET Infineon, canale N, P, 270 mΩ, 280 mΩ, 1,4 A, 1,5 A, TSOP-6, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 166-1082
- Codice costruttore:
- BSL316CH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
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| Unità | Per unità | Per Bobina* |
| 3000 + | 0,119 € | 357,00 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 166-1082
- Codice costruttore:
- BSL316CH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- MY
Dettagli prodotto
MOSFET doppia potenza Infineon OptiMOS™
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N, P |
| Corrente massima continuativa di drain | 1,4 A, 1,5 A |
| Tensione massima drain source | 30 V |
| Serie | OptiMOS |
| Tipo di package | TSOP-6 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 6 |
| Resistenza massima drain source | 270 mΩ, 280 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2V |
| Tensione di soglia gate minima | 1V |
| Dissipazione di potenza massima | 500 mW |
| Configurazione transistor | Isolato |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Numero di elementi per chip | 2 |
| Larghezza | 1.6mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 0,6 nC a 5 V, 2,4 nC a 5 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Materiale del transistor | Si |
| Lunghezza | 2.9mm |
| Altezza | 1mm |
| Tensione diretta del diodo | 1.1V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 166-1082
- Codice costruttore:
- BSL316CH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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