2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 280 mΩ, 1.5 A 30 V, TSOP-6, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Codice RS:: 166-1082
Codice costruttore:: BSL316CH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 280 mΩ, 1.5 A 30 V, TSOP-6, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 166-1082
Codice costruttore:: BSL316CH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N, Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	1.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Serie	OptiMOS™
	Tipo di package	TSOP-6
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	280mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	500mW
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Tensione diretta Vf	860mV
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	2.4nC
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	1.6mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	2.9mm
	Altezza	1mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N, Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 1.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Serie OptiMOS™
	Tipo di package TSOP-6
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 280mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 500mW
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Tensione diretta Vf 860mV
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.4nC
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 1.6mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 2.9mm
	Altezza 1mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico AEC-Q101

Paese di origine:: MY

MOSFET Infineon serie OptiMOSTM, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,5 A - BSL316CH6327XTSA1

Questo MOSFET fornisce una commutazione compatta a montaggio superficiale per applicazioni a bassa tensione in contesti automobilistici e industriali. Si tratta di un transistor a doppio canale isolato progettato per il funzionamento in modalità di potenziamento, che offre elementi a canale N e P in un contenitore TSOP a 6 pin. Il dispositivo supporta un comportamento di carica gate tipico adatto per la commutazione rapida e funziona in un ampio intervallo di temperatura richiesto da ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drenaggio di 30 V consente la commutazione del sistema a bassa tensione
• La resistenza drain-source di 280 mΩ riduce le perdite di conduzione
• Carica gate tipica 2.4 nC per un gate drive efficiente
• corrente di drenaggio continua di 1,5 A per carichi di corrente moderati
• La dissipazione di potenza di 500 mW evita il surriscaldamento in layout compatti
• La qualifica AEC-Q101 garantisce l'idoneità per l'uso nel settore automobilistico

Applicazioni

• Adatto per la commutazione del carico CC nell'elettronica dei veicoli
• Utilizzato per le fasi di azionamento push-pull complementari
• Ideale per la gestione dell'alimentazione SMD sulle schede di controllo
• Può essere utilizzato per la protezione della batteria e lo scollegamento del carico
• Adatto per moduli automobilistici sensibili alla temperatura

Quale numero di pin e tipo di contenitore utilizza?

Il componente viene fornito in un pacchetto TSOP‐6 a 6 pin per montaggio superficiale ottimizzato per assemblaggi compatti.

Come si comporta a temperature diverse?

È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, mantenendo la funzionalità in condizioni ambientali estreme.

Il dispositivo è a singolo o multi-elemento?

Lo stampo contiene due elementi isolati, fornendo configurazioni a canale N e P su un singolo chip.

Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati?

La tensione da gate a sorgente non deve superare 20 V per evitare danni all'isolamento del gate.