2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 280 mΩ, 1.5 A 20 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Codice RS:: 166-1086
Codice costruttore:: BSL215CH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 280 mΩ, 1.5 A 20 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

522,00 €

(IVA esclusa)

636,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

15.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,174 €	522,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1086
Codice costruttore:: BSL215CH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	1.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	TSOP
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	280mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	500mW
	Tensione diretta Vf	800mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-12V, +12V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Altezza	1mm
	Lunghezza	2.9mm
	Larghezza	1.6mm
	Standard/Approvazioni	No
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 1.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package TSOP
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 280mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 500mW
	Tensione diretta Vf 800mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -12V, +12V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Altezza 1mm
	Lunghezza 2.9mm
	Larghezza 1.6mm
	Standard/Approvazioni No
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico AEC-Q101

Paese di origine:: MY

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,5 A - BSL215CH6327XTSA1

Questo MOSFET è un dispositivo compatto a transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione e l'amplificazione in contesti automobilistici e industriali. Comprende elementi a transistor accoppiati in una configurazione isolata per supportare applicazioni complementari in cui è richiesto il funzionamento sia a canale P che a canale N. Il componente è progettato per l'uso su schede a circuito stampato in cui un ingombro ridotto e un'affidabilità specifica per il settore sono importanti.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassa carica di gate di 3 nC consente prestazioni di commutazione più veloci
• La corrente di drenaggio continua massima di 1,5 A supporta circuiti a carico moderato
• La resistenza drain-source di 280 mΩ riduce le perdite di conduzione
• Classificato per una tensione drain-source di 20 V per sistemi a bassa tensione
• La dissipazione di potenza di 500 mW gestisce il carico termico in progetti compatti
• Certificazione AEC‐Q101 per una maggiore tolleranza alle sollecitazioni automobilistiche

Applicazioni

• Adatto per circuiti di commutazione e controllo dei segnali automobilistici
• Utilizzato con moduli di gestione della batteria e di distribuzione dell'alimentazione
• Ideale per convertitori CC-CC compatti e regolatori di tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei sottosistemi di infotainment
• Adatto per le fasi di azionamento del controllo del motore integrate

In quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?

Funziona a temperature comprese tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso da avviamenti a freddo a temperature elevate sotto il cofano.

Quanti elementi transistor sono forniti sul chip?

Il dispositivo contiene due elementi per chip disposti in una configurazione isolata per topologie di circuito flessibili.

Quale pacchetto e quale numero di pin devono pianificare i progettisti?

Viene fornito in un contenitore TSOP con sei pin per il montaggio superficiale e la pianificazione del layout.

Quali limiti di tensione gate‐source e in avanti devono essere rispettati?

La tensione massima gate-source è di 12 V e la tensione diretta è di 0,8 V per considerazioni di conduzione del diodo.