2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 188 mΩ, 2.3 A 30 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
165-6919
Codice costruttore:
SI3993CDV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

TSOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

188mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.2nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.4W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Altezza

1mm

Lunghezza

3.1mm

Larghezza

1.7 mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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