MOSFET Vishay, canale P, 188 mΩ, 2,3 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6919
Codice costruttore:: SI3993CDV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 188 mΩ, 2,3 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-6919
Codice costruttore:: SI3993CDV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si3993CDV, Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	TSOP-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	188 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	1.7mm
Lunghezza	3.1mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	5,2 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Vishay, canale P, 188 mΩ, 2,3 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor

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