2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 188 mΩ, 2.3 A 30 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
165-6919
Codice costruttore:
SI3993CDV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TSOP

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

188mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.2nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.4W

Minima temperatura operativa

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

3.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Larghezza

1.7 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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