2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 188 mΩ, 2.3 A 30 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 165-6919
- Codice costruttore:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,164 € | 492,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-6919
- Codice costruttore:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 188mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.4W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 1.7mm | |
| Lunghezza | 3.1mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 188mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 1.7mm | ||
Lunghezza 3.1mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza serie TrenchFET di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 2,3 A - SI3993CDV-T1-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione a canale P a montaggio superficiale progettato per applicazioni compatte a bassa potenza. Funziona in un intervallo di tensione modesto ed è progettato per attività di commutazione efficienti in cui è richiesta una configurazione a transistor isolato a doppio elemento. Il componente è fornito in un contenitore TSOP sottile adatto per l'integrazione a livello di scheda nei sistemi di controllo elettronici.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione di drenaggio massima di 30 V consente una commutazione sicura a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 2,3 A supporta correnti di carico moderate
• Il basso valore di RDS(on) di 188 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica tipica del gate di 5,2 nC consente una commutazione rapida del gate
• La dissipazione di potenza di 1,4 W consente il funzionamento a ciclo di lavoro
• Il design a doppio elemento isolato consente implementazioni a canale diviso
• La corrente di drenaggio continua di 2,3 A supporta correnti di carico moderate
• Il basso valore di RDS(on) di 188 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica tipica del gate di 5,2 nC consente una commutazione rapida del gate
• La dissipazione di potenza di 1,4 W consente il funzionamento a ciclo di lavoro
• Il design a doppio elemento isolato consente implementazioni a canale diviso
Applicazioni
• Adatto per il controllo dei motori a bassa tensione nei moduli di automazione
• Ideale per la commutazione di potenza in alimentatori compatti
• Utilizzato per la commutazione del carico nei sistemi di controllo integrati
• Può essere utilizzato per il controllo della polarità nei circuiti di gestione della batteria
• Ideale per la commutazione di potenza in alimentatori compatti
• Utilizzato per la commutazione del carico nei sistemi di controllo integrati
• Può essere utilizzato per il controllo della polarità nei circuiti di gestione della batteria
Quale intervallo termico si può prevedere durante il funzionamento?
Il dispositivo è classificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ambienti a temperature estese.
In che modo il pacchetto supporta l'assemblaggio della scheda?
Il formato TSOP a montaggio superficiale con sei pin facilita il posizionamento e la saldatura automatizzati su schede densamente popolate.
Il gate può gestire tensioni di controllo più elevate?
Il gate non deve superare i 20 V massimo per evitare di danneggiare l'ossido del gate e per mantenere le prestazioni specificate.
Il dispositivo supporta configurazioni multi-elemento su un singolo chip?
Sì, contiene due elementi per chip in una configurazione isolata, consentendo disposizioni di commutazione accoppiate senza isolamento esterno.
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