2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 188 mΩ, 2.3 A 30 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
165-6919
Codice costruttore:
SI3993CDV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TSOP

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

188mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.4W

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Larghezza

1.7mm

Lunghezza

3.1mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza serie TrenchFET di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 30 V, corrente di drenaggio continua 2,3 A - SI3993CDV-T1-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale P a montaggio superficiale progettato per ruoli di commutazione e gestione del carico in assemblaggi elettronici compatti. Fornisce una configurazione a transistor isolato in un contenitore TSOP a basso profilo ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione della corrente moderata e un gate drive controllato in un ambiente a tensione di 30 V.

Caratteristiche e vantaggi:


• La modalità di potenziamento del canale P consente una semplice commutazione high-side
• La corrente di drenaggio continua di picco di 2,3 A supporta carichi moderati
• I bassi valori Rds(on) a 188 mΩ riducono le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 5,2 nC consente transizioni gate rapide
• La dissipazione di potenza massima di 1,4 W gestisce il carico termico in schede di piccole dimensioni
• Il pacchetto a sei pin per montaggio superficiale consente un posizionamento compatto del circuito stampato

Applicazioni


• Adatto per circuiti di commutazione high-side alimentati a batteria
• Ideale per la disconnessione del carico CC e il blocco della corrente inversa
• Utilizzato con moduli di gestione dell'alimentazione nei dispositivi di consumo
• Può essere utilizzato per il controllo del gate con spostamento di livello in assemblaggi compatti

Quali sono i vincoli dell'azionamento del gate da considerare?


Il dispositivo accetta fino a ±20 V tra gate e sorgente, pertanto i circuiti di azionamento gate devono mantenere Vgs all'interno di tale intervallo per evitare la sollecitazione del gate.

Qual è la tolleranza alle temperature estreme durante il funzionamento?


Funziona in un ampio intervallo di temperature da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con forti variazioni termiche.

Quanti elementi del transistor sono inclusi nella matrice e quale è il numero di pin del contenitore?


Il chip integra due elementi e il pacchetto presenta sei pin per i collegamenti alla scheda.

Qual è la tensione massima drain-source e come influisce sulla progettazione dei circuiti?


Il MOSFET ha una tensione nominale di 30 V tra il drenaggio e la sorgente, pertanto deve essere utilizzato nei casi in cui le guide di alimentazione e le condizioni transitorie rimangono al di sotto di tale soglia.

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