MOSFET Vishay, canale P, 188 mΩ, 2,3 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6919
Codice costruttore:: SI3993CDV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 188 mΩ, 2,3 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,157 €

(IVA esclusa)

0,192 €

(IVA inclusa)

2320 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,157 €	471,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6919
Codice costruttore:: SI3993CDV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si3993CDV, Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	TSOP-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	188 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.7mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	5,2 nC a 10 V
Lunghezza	3.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Vishay, canale P, 188 mΩ, 2,3 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor

Link consigliati