2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 188 mΩ, 2.3 A 30 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3189
Codice costruttore:
SI3993CDV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

TSOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

188mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.4W

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.2nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.1mm

Altezza

1mm

Larghezza

1.7 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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